Texas Instruments TPS1101D P-Kanal, SMD MOSFET 15 V / 2.3 A 791 mW, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 662-4273
- Herst. Teile-Nr.:
- TPS1101D
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- TPS1101D
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2.3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 15 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 90 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 791 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -15 V, +2 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 3.91mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11,25 nC @ 10 V | |
| Höhe | 1.58mm | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2.3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 15 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 90 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 791 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -15 V, +2 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 3.91mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 11,25 nC @ 10 V | ||
Höhe 1.58mm | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||