DiodesZetex ZXMD63C03XTA N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,3 A 1250 mW, 8-Pin MSOP
- RS Best.-Nr.:
- 669-7366
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMD63C03XTA
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 0,615 € | 1,23 € |
| 10 - 48 | 0,54 € | 1,08 € |
| 50 - 248 | 0,53 € | 1,06 € |
| 250 - 498 | 0,51 € | 1,02 € |
| 500 + | 0,50 € | 1,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 669-7366
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMD63C03XTA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A; 2,3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | MSOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 135 mΩ, 185 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 1250 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7 nC @ 10 V, 8 nC @ 10 V | |
| Breite | 3.1mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A; 2,3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße MSOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 135 mΩ, 185 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 1250 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 7 nC @ 10 V, 8 nC @ 10 V | ||
Breite 3.1mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 0.95mm | ||