BSS138 N-Kanal MOSFET, 50 V / 220 mA, 360 mW, SOT-23 3-Pin

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Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 220 mA
Drain-Source-Spannung max. 50 V
Drain-Source-Widerstand max. 3,5 Ω
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 360 mW
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,7 nC @ 10 V
Länge 2.92mm
Breite 1.3mm
Höhe 0.93mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
503360 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
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(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
100 - 140
0,104 €
150 - 740
0,098 €
750 - 1490
0,046 €
1500 +
0,043 €
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
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