onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 15 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 671-0352
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD5614P
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,55 € | 2,75 € |
| 50 - 95 | 0,474 € | 2,37 € |
| 100 - 495 | 0,41 € | 2,05 € |
| 500 - 995 | 0,362 € | 1,81 € |
| 1000 + | 0,33 € | 1,65 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0352
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD5614P
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 42 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Breite | 6.22mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 15 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Serie PowerTrench | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 100 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 42 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V | ||
Breite 6.22mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 2.39mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||