onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,8 A 2,4 W, 6-Pin MLP
- RS Best.-Nr.:
- 671-0378
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMA530PZ
- Marke:
- ON Semiconductor
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
3,18 €
(ohne MwSt.)
3,785 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 0,636 € | 3,18 € |
| 25 - 95 | 0,53 € | 2,65 € |
| 100 - 245 | 0,334 € | 1,67 € |
| 250 - 495 | 0,32 € | 1,60 € |
| 500 + | 0,302 € | 1,51 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0378
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMA530PZ
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | MLP | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 35 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2,4 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 2mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 6,8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße MLP | ||
Serie PowerTrench | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 35 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2,4 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 16 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2mm | ||
Breite 2mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||