onsemi PowerTrench FDMC5614P P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5,7 A 2,1 W, 8-Pin MLP
- RS Best.-Nr.:
- 671-0384
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC5614P
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 671-0384
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC5614P
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | MLP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2,1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 3mm | |
| Länge | 3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 5,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße MLP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 100 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2,1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 3mm | ||
Länge 3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.95mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Serie PowerTrench | ||