onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 671-0413
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN327N
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
1,86 €
(ohne MwSt.)
2,215 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 270 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 5 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 17.625 Einheit(en) mit Versand ab 27. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,372 € | 1,86 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0413
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN327N
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.92mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 0.94mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.92mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 0.94mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23