onsemi FDN357N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.9 A 500 mW, 3-Pin FDN357N SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 671-0441
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN357N
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
2,04 €
(ohne MwSt.)
2,43 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Begrenzter Lagerbestand
- 20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 660 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,408 € | 2,04 € |
| 50 - 95 | 0,352 € | 1,76 € |
| 100 - 495 | 0,304 € | 1,52 € |
| 500 - 995 | 0,268 € | 1,34 € |
| 1000 + | 0,244 € | 1,22 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0441
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN357N
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | FDN357N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.92mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 0.94mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie FDN357N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.92mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 0.94mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi FDN357N Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2 6-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2 6-Pin SOT-23 FDC6306P
- onsemi NDS352AP Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi MMBF170L Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi FDN337N Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
