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    onsemi PowerTrench FDS6681Z P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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    FDS6681Z
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    onsemi
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    Rechtliche Anforderungen


    Produktdetails

    P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


    PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.
    Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.
    Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.



    MOSFET-Transistoren, ON Semi


    On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
    On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypP
    Dauer-Drainstrom max.20 A
    Drain-Source-Spannung max.30 V
    GehäusegrößeSOIC
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.5 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.1V
    Verlustleistung max.2,5 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.–25 V, +25 V
    Gate-Ladung typ. @ Vgs185 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Länge5mm
    Breite4mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Höhe1.5mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    SeriePowerTrench
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