onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 12.8 A 2.5 W, 8-Pin FDS8447 SOIC

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

6,62 €

(ohne MwSt.)

7,88 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 2.380 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +1,324 €6,62 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-0693
Herst. Teile-Nr.:
FDS8447
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links