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    onsemi PowerTrench FDS8870 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    RS Best.-Nr.:
    671-0712
    Herst. Teile-Nr.:
    FDS8870
    Marke:
    ON Semiconductor
    ON Semiconductor
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    Nicht mehr im Sortiment
    RS Best.-Nr.:
    671-0712
    Herst. Teile-Nr.:
    FDS8870
    Marke:
    ON Semiconductor
    Ursprungsland:
    MY

    Rechtliche Anforderungen

    Ursprungsland:
    MY

    Produktdetails

    N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor



    MOSFET-Transistoren, ON Semi


    On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
    On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.18 A
    Drain-Source-Spannung max.30 V
    GehäusegrößeSOIC
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.4 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.1.2V
    Verlustleistung max.2,5 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Breite4mm
    Länge5mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs85 nC @ 10 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Höhe1.5mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    SeriePowerTrench
    Nicht mehr im Sortiment