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    onsemi PowerTrench FDS8878 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    RS Best.-Nr.:
    671-0725
    Herst. Teile-Nr.:
    FDS8878
    Marke:
    onsemi
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    onsemi
    Ursprungsland:
    MY

    Rechtliche Anforderungen

    Ursprungsland:
    MY

    Produktdetails

    N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor



    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.10,2 A
    Drain-Source-Spannung max.30 V
    GehäusegrößeSOIC
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.14 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.1.2V
    Verlustleistung max.2,5 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge5mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs17 nC @ 10 V
    Breite4mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    SeriePowerTrench
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe1.5mm
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