onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC FDS8949
- RS Best.-Nr.:
- 671-0747
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS8949
- Marke:
- onsemi
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- FDS8949
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Distrelec Product Id | 304-43-728 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Distrelec Product Id 304-43-728 | ||
Automobilstandard Nein | ||
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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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