onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 671-0747
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-43-728
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS8949
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
6,43 €
(ohne MwSt.)
7,65 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 3.125 Einheit(en) mit Versand ab 03. September 2026
- Zusätzlich 5 Einheit(en) mit Versand ab 07. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,286 € | 6,43 € |
| 50 - 95 | 1,112 € | 5,56 € |
| 100 - 495 | 0,962 € | 4,81 € |
| 500 - 995 | 0,842 € | 4,21 € |
| 1000 + | 0,77 € | 3,85 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0747
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-43-728
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS8949
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kfz-Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC