onsemi Einfach PowerTrench N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 600 mA 625 mW, 3-Pin SOT-523 (SC-89)
- RS Best.-Nr.:
- 671-0845
- Herst. Teile-Nr.:
- FDY300NZ
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 20 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 600 mA | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 625 mW | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | SOT-523 (SC-89) | |
| Höhe | 780 μm | |
| Länge | 1.7 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 240 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 12 V, -12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 980 μm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie PowerTrench | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 20 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 600 mA | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 625 mW | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße SOT-523 (SC-89) | ||
Höhe 780 μm | ||
Länge 1.7 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 240 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 12 V, -12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 980 μm | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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