onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 27 A 3.75 W, 3-Pin FQB27P06TM TO-263

RS Best.-Nr.:: 671-0873
Herst. Teile-Nr.:: FQB27P06TM
Marke:: onsemi

onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 27 A 3.75 W, 3-Pin FQB27P06TM TO-263

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Herst. Teile-Nr.:: FQB27P06TM
Marke:: onsemi

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	27A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	QFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	70mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	-4V
	Gate-Source-spannung max Vgs	25 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	33nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	3.75W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.67mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	4.83mm
	Breite	9.65 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie QFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf -4V
	Gate-Source-spannung max Vgs 25 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 3.75W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.67mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 4.83mm
	Breite 9.65 mm
	Automobilstandard Nein

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.