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    onsemi QFET FQB6N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 5,8 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Nicht mehr im Sortiment
    RS Best.-Nr.:
    671-0927
    Herst. Teile-Nr.:
    FQB6N80TM
    Marke:
    onsemi

    Ursprungsland:
    MY
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.5,8 A
    Drain-Source-Spannung max.800 V
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.1,95 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.3V
    Verlustleistung max.3,13 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-30 V, +30 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs31 nC @ 10 V
    Länge10.67mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Breite9.65mm
    Transistor-WerkstoffSi
    SerieQFET
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe4.83mm

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