onsemi QFET FQD1N60CTM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 1 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
671-0983
Herst. Teile-Nr.:
FQD1N60CTM
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

11,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

6.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

4,8 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

6.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

QFET

Höhe

2.3mm