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    onsemi QFET FQD2N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,8 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

    0,886 €

    (ohne MwSt.)

    1,054 €

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    Pro Packung*
    5 - 450,886 €4,43 €
    50 - 950,86 €4,30 €
    100 - 2450,838 €4,19 €
    250 - 4950,816 €4,08 €
    500 +0,798 €3,99 €

    *Bitte VPE beachten

    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    671-0996
    Herst. Teile-Nr.:
    FQD2N80TM
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.1,8 A
    Drain-Source-Spannung max.800 V
    SerieQFET
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.6,3 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.3V
    Verlustleistung max.2,5 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-30 V, +30 V
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Länge6.6mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite6.1mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs12 nC @ 10 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe2.3mm

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