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    onsemi BS170 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin TO-92

    onsemi
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    671-4736P
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    BS170
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    onsemi
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    Produktdetails

    N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


    Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.


    MOSFET-Transistoren, ON Semi


    On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
    On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.500 mA
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeTO-92
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.5 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3V
    Gate-Schwellenspannung min.0.8V
    Verlustleistung max.830 mW
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Breite4.19mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Transistor-WerkstoffSi
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Länge5.2mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe5.33mm
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