onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 5 A 150 W, 3-Pin FDP42AN15A0 TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 671-4840
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP42AN15A0
- Marke:
- onsemi
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- FDP42AN15A0
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 42mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.4mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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