onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 92 A 80 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 671-4875
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP8896
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
2,09 €
(ohne MwSt.)
2,485 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 660 Einheit(en) mit Versand ab 23. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,418 € | 2,09 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-4875
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP8896
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 92A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 80W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 92A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 80W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 9.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi QFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRF Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFBE Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRL Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
