Fairchild Semiconductor FQA12P20 P-Kanal, THT MOSFET Transistor 200 V / 12,6 A 150 W, 3-Pin TO-3PN

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RS Best.-Nr.:
671-4893
Herst. Teile-Nr.:
FQA12P20
Marke:
Fairchild Semiconductor
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Marke

Fairchild Semiconductor

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

12,6 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

TO-3PN

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

470 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

150 W

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

15.8mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

31 nC @ 10 V

Breite

5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

18.9mm

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor


Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:


• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter
• Zelldesign mit hoher Dichte
• Hoher Sättigungsstrom
• Hervorragende Schaltleistung
• Große robuste und zuverlässige Leistung
• DMOS-Technologie

Anwendungen:


• Lastschaltung
• DC/DC-Wandler
• Batterieschutz
• Stromüberwachungssteuerung
• Gleichstrommotor-Steuerung


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.