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    onsemi QFET FQP13N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12,8 A 65 W, 3-Pin TO-220AB

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    5 - 51,446 €7,23 €
    10 - 951,158 €5,79 €
    100 - 4950,916 €4,58 €
    500 - 9950,772 €3,86 €
    1000 +0,648 €3,24 €

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    RS Best.-Nr.:
    671-5023
    Herst. Teile-Nr.:
    FQP13N10
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.12,8 A
    Drain-Source-Spannung max.100 V
    SerieQFET
    GehäusegrößeTO-220AB
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.180 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.65 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.–25 V, +25 V
    Breite4.7mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Länge10.1mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs12 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Höhe9.4mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C

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