onsemi QFET FQP20N06L N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 21 A 53 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 671-5054
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP20N06L
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
7,01 €
(ohne MwSt.)
8,34 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,402 € | 7,01 € |
| 10 - 95 | 1,19 € | 5,95 € |
| 100 - 245 | 0,892 € | 4,46 € |
| 250 - 495 | 0,886 € | 4,43 € |
| 500 + | 0,758 € | 3,79 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-5054
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP20N06L
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 21 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 55 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 53 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 9,5 nC @ 5 V | |
| Länge | 10.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4.7mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | QFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 21 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 55 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 53 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9,5 nC @ 5 V | ||
Länge 10.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4.7mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie QFET | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 9.4mm | ||
- Ursprungsland:
- MY