onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage P-Kanal-QFET-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.7 A 85 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 671-5118P
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP3P50
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | P-Kanal-QFET-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | QFET | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 85W | |
| Betriebstemperatur min. | 55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Durchlassspannung Vf | -5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ P-Kanal-QFET-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie QFET | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 85W | ||
Betriebstemperatur min. 55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Durchlassspannung Vf -5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 9.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor
Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.
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MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.