onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3,9 A 130 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 671-5121
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP4N80
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Serie | QFET | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,6Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 130 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4.7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 3,9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Serie QFET | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,6Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 130 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4.7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 9.4mm | ||