onsemi QFET FQP55N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 55 A 155 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 671-5149
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP55N10
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- FQP55N10
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 55 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 26 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 155 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Breite | 4.7mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Serie | QFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 55 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 26 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 155 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Breite 4.7mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 75 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.1mm | ||
Serie QFET | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 9.4mm | ||