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    onsemi QFET FQPF6N90C N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 6 A 56 W, 3-Pin TO-220F

    Nicht mehr im Sortiment
    RS Best.-Nr.:
    671-5294
    Herst. Teile-Nr.:
    FQPF6N90C
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.6 A
    Drain-Source-Spannung max.900 V
    GehäusegrößeTO-220F
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.2,3 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.3V
    Verlustleistung max.56 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-30 V, +30 V
    Gate-Ladung typ. @ Vgs30 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Breite4.7mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge10.16mm
    SerieQFET
    Höhe9.19mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C

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