onsemi QFET FQPF9N25C N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 8,8 A 38 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 671-5329
- Herst. Teile-Nr.:
- FQPF9N25C
- Marke:
- ON Semiconductor
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- 671-5329
- Herst. Teile-Nr.:
- FQPF9N25C
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8,8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 430 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 38 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 26,5 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.7mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10.16mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | QFET | |
| Höhe | 9.19mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8,8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 250 V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 430 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 38 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 26,5 nC @ 10 V | ||
Breite 4.7mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10.16mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Serie QFET | ||
Höhe 9.19mm | ||
N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor
Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.