Anmelden / Registrieren um Ihre Vorteile zu nutzen
Kürzlich gesucht

    onsemi UltraFET HUF75339P3 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

    10 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
    Stück
    Nicht als Expresslieferung erhältlich

    Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

    1,798 €

    (ohne MwSt.)

    2,14 €

    (inkl. MwSt.)

    Stück
    Pro Stück
    Pro Packung*
    5 +1,798 €8,99 €

    *Bitte VPE beachten

    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    671-5363
    Herst. Teile-Nr.:
    HUF75339P3
    Marke:
    onsemi

    Ursprungsland:
    MY
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.75 A
    Drain-Source-Spannung max.55 V
    SerieUltraFET
    GehäusegrößeTO-220AB
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.12 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.200 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge10.67mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Gate-Ladung typ. @ Vgs110 nC @ 20 V
    Breite4.83mm
    Höhe9.4mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C

    Verwandte Produkte