STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 2,1 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
687-5100
Herst. Teile-Nr.:
STD2NK90ZT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,1 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

70 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.6mm

Breite

6.2mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

19,5 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.4mm