STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 687-5175
- Herst. Teile-Nr.:
- STB10NK60ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,98 € | 14,90 € |
| 25 - 45 | 2,80 € | 14,00 € |
| 50 - 120 | 2,652 € | 13,26 € |
| 125 - 245 | 2,504 € | 12,52 € |
| 250 + | 2,384 € | 11,92 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5175
- Herst. Teile-Nr.:
- STB10NK60ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 750 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 115 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.35mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 750 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 115 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.35mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 50 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 4.6mm | ||