STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STY60NK30Z N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 60 A 450 W, 3-Pin Max247

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RS Best.-Nr.:
687-5232
Herst. Teile-Nr.:
STY60NK30Z
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Drain-Source-Spannung max.

300 V

Gehäusegröße

Max247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

45 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

450 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.3mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

220 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

15.9mm

Höhe

20.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

MDmesh, SuperMESH

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics