STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW52NK25Z N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 52 A 300 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 687-5279
- Herst. Teile-Nr.:
- STW52NK25Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
13,29 €
(ohne MwSt.)
15,816 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,645 € | 13,29 € |
| 10 - 18 | 6,25 € | 12,50 € |
| 20 - 48 | 5,915 € | 11,83 € |
| 50 - 98 | 5,585 € | 11,17 € |
| 100 + | 5,315 € | 10,63 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5279
- Herst. Teile-Nr.:
- STW52NK25Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 52 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 45 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 5.15mm | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 52 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 250 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 45 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 15.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 160 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 5.15mm | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Höhe 20.15mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||