Infineon HEXFET IRF7842PBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 18 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 688-6879
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7842PBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7842PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.25V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.35V | |
| Verlustleistung max. | 2,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 33 nC @ 4,5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 18 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.25V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.35V | ||
Verlustleistung max. 2,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 33 nC @ 4,5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Serie HEXFET | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 18A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,5W maximale Verlustleistung - IRF7842TRPBF
Dieser MOSFET bietet hohe Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen. Mit Spezifikationen wie einem 18A-Dauer-Drain-Strom und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40V verbessert er die Energieeffizienz von elektronischen Geräten. Dieses für die Oberflächenmontage konzipierte Gerät gewährleistet eine lange Lebensdauer und eignet sich für Fachleute aus den Bereichen Elektronik und Automatisierung.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Rds(on) bei 4,5 V verbessert die Effizienz
• Hohe Strombelastbarkeit optimiert die Leistungsabgabe
• Minimale Gate-Ladung reduziert Schaltverluste
• Lawinengeprüft für mehr Zuverlässigkeit
• N-Kanal-Konfiguration unterstützt effektive Leistung in Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereich
• Verwendung in synchronen MOSFET-Schaltungen für die Stromversorgung von Notebook-Prozessoren
• Dient als sekundäre Synchrongleichrichtung in isolierten DC-DC-Wandlern
• Funktionen in nicht isolierten DC/DC-Wandler-Konzepten
Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für dieses Gerät?
Er arbeitet effizient bis zu +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit in Hochtemperaturumgebungen.
Wie behandelt dieses Bauteil den Strom während des Betriebs?
Der Baustein unterstützt einen kontinuierlichen Drain-Strom von 18 A und eignet sich für verschiedene Anwendungen.
Kann es in Hochspannungsstromkreisen verwendet werden?
Ja, die maximale Drain-Source-Spannung ist auf 40 V ausgelegt, was Flexibilität für Hochspannungsanwendungen bietet.
Was sind die Eigenschaften des Wärmewiderstands?
Der Wärmewiderstand vom Übergang zur Umgebung beträgt in der Regel etwa 50-55°C/W, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht.
Ist dieser MOSFET mit der Oberflächenmontagetechnik kompatibel?
Ja, er ist in einem SOIC-Gehäuse erhältlich, das speziell für die Oberflächenmontage entwickelt wurde und die Integration in Schaltungsdesigns erleichtert.