Infineon HEXFET IRFB3207ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 688-6917
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB3207ZPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
6,25 €
(ohne MwSt.)
7,438 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,125 € | 6,25 € |
| 10 - 18 | 2,545 € | 5,09 € |
| 20 - 38 | 2,47 € | 4,94 € |
| 40 - 98 | 2,345 € | 4,69 € |
| 100 + | 2,03 € | 4,06 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 688-6917
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB3207ZPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 170 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 75 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.82mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.66mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 170 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 75 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 120 nC @ 10 V | ||
Breite 4.82mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.66mm | ||
Serie HEXFET | ||
Höhe 9.02mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||