Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 76 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
688-6936
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4127PBF
Marke:
Infineon
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Stromversorgung per Durchgangsbohrung nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für nachfolgende Schaltanwendungen <100 kHz

Weichere Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breitgefächertes Angebot