Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 73 A 190 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 688-6958
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4610PBF
- Marke:
- Infineon
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- 688-6958
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4610PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 73A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 73A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.69mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Länge 10.54mm | ||
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