Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 200 A 230 W, 3-Pin TO-220

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688-7178
Herst. Teile-Nr.:
IRL1404ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

200 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.7V

Gate-Schwellenspannung min.

1.4V

Verlustleistung max.

230 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

75 nC @ 5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Höhe

8.77mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 200A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 230W maximale Verlustleistung - IRL1404ZPBF


Dieser MOSFET wurde für eine hocheffiziente Leistung in verschiedenen Anwendungen entwickelt, insbesondere in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik. Sie gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter extremen Bedingungen, was für fortschrittliche elektronische Systeme entscheidend ist. Sein robustes Design macht ihn zu einer bevorzugten Option für Ingenieure, die Lösungen für das Energiemanagement optimieren wollen.

Eigenschaften und Vorteile


• Geeignet für kontinuierliche Ableitströme bis zu 200 A
• Niedriger Drain-Source-On-Widerstand erhöht die Effizienz
• Geeignet für hohe Schaltgeschwindigkeiten zur Reduzierung von Energieverlusten
• Arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C
• Bietet eine maximale Gate-Schwellenspannung von 2,7 V für Kompatibilität
• Entwickelt in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für einfache Montage

Anwendungsbereich


• Verwendung in Leistungsverstärkern und Wandlern
• Eingesetzt in DC-DC-Schaltnetzteilen
• Integriert in die Motorsteuerungsschaltung
• Ideal für die Automobilindustrie und erneuerbare Energien

Wie hoch ist die maximale Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?


Er kann eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V verwalten.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?


Eine Gate-Schwellenspannung von 2,7 V gewährleistet eine effiziente Aktivierung des Bauelements und ermöglicht eine präzise Steuerung.

Kann dieses Bauteil in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?


Ja, er ist für den Betrieb bei bis zu +175 °C ausgelegt und damit für intensive Anwendungen geeignet.

Welche Bedeutung hat ein niedriger Drain-Source-Widerstand?


Der niedrige Widerstand minimiert die Leistungsverluste und verbessert so die Gesamteffizienz des Systems, insbesondere bei hohen Stromlasten.

Wie sollte es für eine optimale Leistung montiert werden?


Es wird empfohlen, das Bauteil gemäß den Spezifikationen des TO-220-Gehäuses zu montieren, um ein effektives Wärmemanagement und eine gute Konnektivität zu gewährleisten.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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