Infineon HEXFET IRLS4030-7PPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 A 370 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 688-7266
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLS4030-7PPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
6,19 €
(ohne MwSt.)
7,37 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 6,19 € |
| 5 - 9 | 5,88 € |
| 10 - 19 | 5,52 € |
| 20 - 49 | 5,26 € |
| 50 + | 5,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 688-7266
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLS4030-7PPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 190 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 370 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 93 nC @ 4,5 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Höhe | 4.55mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 190 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 370 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 93 nC @ 4,5 V | ||
Serie HEXFET | ||
Höhe 4.55mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||