DiodesZetex ZXMN10A25G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

4,15 €

(ohne MwSt.)

4,95 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 610 Einheit(en) mit Versand ab 27. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 200,83 €4,15 €
25 - 450,614 €3,07 €
50 - 2450,556 €2,78 €
250 - 4950,488 €2,44 €
500 +0,434 €2,17 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
708-2551
Herst. Teile-Nr.:
ZXMN10A25GTA
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

ZXMN10A25G

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.9W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.8mm

Länge

6.7mm

Breite

3.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links