Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 250000 mW, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
708-4759
Herst. Teile-Nr.:
IRFB13N50APBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

14 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

450 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

250000 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

10.41mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

81 nC @ 10 V

Höhe

9.01mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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