Vishay IRFU024PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 14 A 2500 mW, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 708-4822
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU024PBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,548 € | 2,74 € |
| 50 - 95 | 0,448 € | 2,24 € |
| 100 - 245 | 0,412 € | 2,06 € |
| 250 - 495 | 0,388 € | 1,94 € |
| 500 + | 0,374 € | 1,87 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-4822
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU024PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 14 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 2500 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Breite | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 14 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 100 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 2500 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 10 V | ||
Breite 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 6.22mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||