Vishay SIS406DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9 A 1500 mW, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 710-3418
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS406DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 710-3418
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS406DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 1500 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18,2 nC @ 10 V, 8,4 nC @ 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 3.05mm | |
| Länge | 3.05mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 11 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 1500 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18,2 nC @ 10 V, 8,4 nC @ 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 3.05mm | ||
Länge 3.05mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.04mm | ||
- Ursprungsland:
- CN