STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STN1NK60Z N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 300 mA 3,3 W, 3 + Tab-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
714-1072
Herst. Teile-Nr.:
STN1NK60Z
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

300 mA

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

15 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

3,3 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

–4,9 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.5mm

Breite

3.5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1.8mm

Serie

MDmesh, SuperMESH

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics