STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 250 mA 2.5 W, 4-Pin SOT-223

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714-1076P
Herst. Teile-Nr.:
STN1NK80Z
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

250mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Höhe

1.8mm

Breite

3.5 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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