STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 65 V / 1 A 20 W, 4-Pin PowerSO
- RS Best.-Nr.:
- 714-6774
- Herst. Teile-Nr.:
- PD57006-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 714-6774
- Herst. Teile-Nr.:
- PD57006-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 65 V | |
| Gehäusegröße | PowerSO | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 20 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 7.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +165 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 9.4mm | |
| Leistungsverstärkung | 15 dB | |
| Höhe | 3.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 65 V | ||
Gehäusegröße PowerSO | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 20 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 7.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +165 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 9.4mm | ||
Leistungsverstärkung 15 dB | ||
Höhe 3.5mm | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||