STMicroelectronics MDmesh STY80NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 74 A 447 W, 3-Pin Max247

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RS Best.-Nr.:
714-6803
Herst. Teile-Nr.:
STY80NM60N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

74 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

Max247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

35 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

447 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Länge

15.9mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

360 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Serie

MDmesh

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

20.3mm

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics