onsemi NDD02N60Z-1G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 2,4 A 57 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 719-2777
- Herst. Teile-Nr.:
- NDD02N60Z-1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 719-2777
- Herst. Teile-Nr.:
- NDD02N60Z-1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,8 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Verlustleistung max. | 57 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | +30 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 2.38mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 7.62mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,8 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Verlustleistung max. 57 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. +30 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 2.38mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10 nC @ 10 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 7.62mm | ||