onsemi NTB6412ANG N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 58 A 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 719-2850
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB6412ANG
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 719-2850
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB6412ANG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 58 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 18,2 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 167 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13,5 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.29mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 58 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 18,2 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 167 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13,5 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.29mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 4.83mm | ||